Энциклопедия «Техника». — М.: Росмэн.2006.
Смотреть больше слов в «Энциклопедии техники»
(p — n-переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поск... смотреть
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (р - и-переход), область полупроводника, в к-рой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронно... смотреть
(р — n-переход), область полупроводника, в к-рой имеет место пространств. изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. Т. к. в р-... смотреть
Электро́нно-ды́рочный перехо́д (n - p - переход), переход между двумя частями полупроводника, одна из которых имеет электронную (n), а другая - дырочную (p) электрические проводимости (соответственно n - и p - области). Поскольку концентрация дырок в р - области значительно выше, чем в n - области, дырки изр - области стремятся перейти в n - область; точно так же электроны из n - области устремляются в р - область. В результате взаимной диффузии зарядов на границе между двумя частями полупроводника образуется двойной слой пространственного заряда - отрицательные заряды в р - области и положительные заряды в n- области. Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через переход. <p class="tab">Чтобы пройти через электронно-дырочный переход, основным носителям заряда (электронам в n - области и дыркам в р - области) приходится преодолевать контактное поле - потенциальный барьер. Если в р - области приложен положительный потенциал, то внешнее поле направлено против контактного, т. е. потенциальный барьер понижается и основные носители легче преодолевают барьер - через переход начинает протекать ток. И наоборот, положительный потенциал, приложенный к n - области, повышает потенциальный барьер - и переход для потока основных носителей заряда оказывается закрытым. Таким образом, ток через электронно-дырочный переход зависит от приложенного напряжения. На этом свойстве электронно-дырочного перехода основана работа полупроводниковых диодов (n - p - переход), транзисторов (n - p - n - переход), тиристоров (р - n - p - n - переход), фотодиодов и фототранзисторов, светодиодов и других полупроводниковых приборов.</p>... смотреть
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (переход p-n), переходная область между двумя частями одного кристалла полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n), а другая - дырочную (p). В области электронно-дырочного перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из n- в p-область, а дырок - в обратном направлении, что обеспечивает выпрямляющие свойства электронно-дырочного перехода. Является основой многих полупроводниковых приборов. <br>... смотреть
(переход p-n), переходная область между двумя частями одного кристалла полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость (n), а другая - дырочную (p). В области электронно-дырочного перехода возникает электрическое поле, которое препятствует переходу электронов из n- в p-область, а дырок - в обратном направлении, что обеспечивает выпрямляющие свойства электронно-дырочного перехода. Является основой многих полупроводниковых приборов.... смотреть
giunzione p-n
electron-hole junction, p-n junction
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД, то же, что p-n-переход.
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД - то же, что p-n-переход.
Elektronen-Löcher-Übergang
- то же, что р - n-переход.
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД , то же, что p-n-переход.
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД, то же, что p-n-переход.
электронды-кемтікті өткел; Электронды-кемтіктік өту
то же, что р - п-переход.
- то же, что p-n-переход.
• přechod PN
p-n junction
jonction p-p